CMP 技能是现在世界公认仅有能够给我们供给大局平整化的技能，它是半导体技能中的重要运用打破，而CMP抛光垫正是这一工艺中的重要耗材。

  CMP 技能是现在世界公认仅有能够给我们供给大局平整化的技能，它是半导体技能中的重要运用打破，而CMP抛光垫（Chemical Mechanical Polishing Pad，CMP Pad）正是这一工艺中的重要耗材。

  CMP技能是使被抛光资料在化学和机械的一起效果下，资料外表到达所要求的平整度的一个工艺进程。抛光液中的化学成分与资料标明上进行化学反应，构成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对资料标明上进行物理机械抛光将软化层除掉。

  ④坚持抛光进程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学功能以外，其外表安排特征，如微孔形状、孔隙率、沟槽形状等，可通过影响抛光液活动和散布，来决议抛光功率和平整性目标。

  抛光垫有必要对抛光液具有十分杰出的坚持性，在加工时能够修养满足的抛光液，使CMP中的机械和化学反应充沛效果。为了坚持抛光进程的稳定性、均匀性和可重复性，抛光垫资料的物理性质、化学性质以及外表描摹等特性，都需求坚持稳定。

  抛光垫品种可按原料结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。

  无纺布又称不织布，由定向的或随机的纤维构成，微观安排对抛光垫功能发生重要影响。无纺布抛光垫的原资料聚合物棉絮类纤维渗水功能好，包容抛光液的能力强，可是其硬度较低、对资料去除率低，因此会下降抛光片平整化功率。常用在细抛工艺中。

  复合型抛光垫采用上硬下软的上下两层复合结构，统筹平整度和非均匀性要求。复合型抛光垫含有两层微孔结构，将现在抛光垫的回弹率大幅度下降，减少了抛光垫的洼陷和提高了均匀性，处理了因抛光垫运用的进程中易釉化的问题。